[发明专利]一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法有效
申请号: | 202010860334.1 | 申请日: | 2020-08-24 |
公开(公告)号: | CN111952459B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 刘孔;王智杰;曲胜春;贾晓皓;孙明飞;任宽宽;黄志涛;吴玉林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;B82Y30/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法,该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片;一维钙钛矿纳米线,设置在二维钙钛矿纳米片上;范德华异质结,设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上;器件电极,包括第一电极和第二电极,第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部,第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上;以及衬底,其上设有第一电极,位于器件底部。本发明两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控;通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段,此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控。 | ||
搜索关键词: | 二维 钙钛矿范德华异质结 光电 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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