[发明专利]多层芯片堆叠结构和多层芯片堆叠方法有效

专利信息
申请号: 202010860570.3 申请日: 2020-08-25
公开(公告)号: CN111816625B 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 何正鸿;孙杰 申请(专利权)人: 甬矽电子(宁波)股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L25/16;H01L25/18;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 张洋
地址: 315400 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明的实施例提供了一种多层芯片堆叠结构和多层芯片堆叠方法,涉及芯片堆叠技术领域。该多层芯片堆叠结构包括基板、第一类芯片、第一塑封体和多个第二类芯片。第一类芯片设于基板上并与基板电连接,第一塑封体封装第一类芯片。第一塑封体上设有多个台阶部,多个第二类芯片包括第一芯片和第二芯片,每个台阶部上至少层叠设置第一芯片和第二芯片,第一芯片设于台阶部上,第二芯片设于第一芯片远离台阶部的一侧;并且每个第二类芯片均与基板电连接。该多层芯片堆叠结构支撑稳定,结构紧凑,体积小,打线容易,连接可靠。
搜索关键词: 多层 芯片 堆叠 结构 方法
【主权项】:
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