[发明专利]一种高储能低损耗的双层复合膜的制备方法有效
| 申请号： | 202010861419.1 | 申请日： | 2020-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN111961241B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 徐建华;孙松;郭继民;李霞丽;杨雨萌;杨亚杰;周榆久;陈富佳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C08J7/04 | 分类号： | C08J7/04;C08J5/18;C08L79/08;C09D127/16 |
| 代理公司： | 北京知果之信知识产权代理有限公司 11541 | 代理人： | 崔金 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高储能低损耗的双层复合膜的制备方法，包括以下步骤：选取高介电常数材料，并配制成溶液：将高介电常数材料溶于有机溶剂中，搅拌至材料完全溶解；配制聚醚酰亚胺溶液：将聚醚酰亚胺溶液均匀浇铸于基板上，烘干，得聚醚酰亚胺薄膜；在聚醚酰亚胺薄膜表面均匀流延一层高介电常数材料溶液，烘干，得所述双层复合膜；本发明的有益效果为：本发明所述双层复合膜PVDF基材料可以提高聚醚酰亚胺(PEI)薄膜的介电常数以及击穿场强，使双层复合膜可得到更高的储能密度；PEI薄膜可通过抑制PVDF基材料的极化驰豫以及漏电流来降低介电损耗，解决薄膜电容器工作时产热过高的问题，使得高储能的薄膜电容器应用成为了可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高储能低 损耗 双层 复合 制备 方法 | ||
【主权项】：
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