[发明专利]高纯稀土金属钪及钪溅射靶材的制备方法在审
| 申请号： | 202010862193.7 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN111961886A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 邓月华;樊玉川;刘华;黄美松;王志坚;黄培;刘维;杨露辉;苏正夫 | 申请（专利权）人： | 湖南稀土金属材料研究院 |
| 主分类号： | C22B59/00 | 分类号： | C22B59/00;C22B9/02;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 曹素云;董永辉 |
| 地址： | 410126 湖南省长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯稀土金属钪及钪溅射靶材的制备方法。本发明将还原钪在真空碳管炉中进行多次分段蒸馏提纯，获得3N以上高纯稀土金属钪；将得到的高纯稀土金属钪采用真空悬浮熔炼，得到相应纯度的高纯稀土金属钪铸锭，然后将高纯稀土金属钪铸锭进行后处理，得到相应纯度的高纯稀土金属钪靶材。本发明能获得纯度3N以上的高纯稀土金属钪和钪溅射靶材，杂质含量可控制到：稀土杂质总含量＜10ppm，Li+Na+K总含量＜2ppm；靶材内部缺陷少，宏观凝固组织均匀，平均晶粒尺寸可以控制到130μm以下，甚至可控制到100μm以下，产品规格多样，满足集成电路等对于高端薄膜制备的性能要求。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 稀土金属 溅射 制备 方法 | ||
【主权项】：
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