[发明专利]电子器件及其制造方法在审
申请号: | 202010862646.6 | 申请日: | 2020-08-25 |
公开(公告)号: | CN112993155A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 宋政桓 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;H01L27/24 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 郭放;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本文提供了一种包括半导体存储器的电子器件。该半导体存储器可以包括存储元件。每个存储元件包括:选择元件层,其中在绝缘材料中掺杂有第一掺杂剂;以及可变电阻层,其中在所述绝缘材料中掺杂有第二掺杂剂,其中,所述第二掺杂剂在所述绝缘材料中的扩散率大于所述第一掺杂剂在所述绝缘材料中的扩散率。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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