[发明专利]半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010862799.0 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN112736066A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 黄则尧 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/538;H01L23/528 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一本质导电垫、一应力释放结构以及一外部接合结构；该本质导电垫位于该基底上；该应力释放结构位于该基底上，并远离该本质导电垫设置；该外部接合结构直接位于该应力释放结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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