[发明专利]一种平面型空气通道晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010862895.5 申请日: 2020-08-25
公开(公告)号: CN112103157B 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 王跃林;刘梦;李铁 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01J29/02 分类号: H01J29/02;H01J29/04;H01J29/52;H01J31/04;H01J9/02
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;贾允
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种平面型空气通道晶体管,包括:衬底、绝缘层、多晶硅、第一牺牲层、第一导电材料、第二导电材料、第一极、第二极和第三极;绝缘层位于衬底上,多晶硅和第二导电材料均位于绝缘层远离衬底的一侧,第二导电材料、多晶硅之间形成有空气通道;第一导电材料和第一牺牲层均设置在多晶硅上,第一牺牲层连接第一导电材料和多晶硅,第一导电材料设置有贯通第一牺牲层的第一接触点,第一极位于第一接触点处;第三极位于绝缘层上的第二接触点处;绝缘层和第二导电材料均与第二极的底部相接触;本发明通过去除多晶硅侧壁生长的牺牲层在第二导电材料和多晶硅之间形成空气通道,无需高精度的光刻工艺,提高生产效率,增加了实用价值。
搜索关键词: 一种 平面 空气 通道 晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
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