[发明专利]一种涂硼中子探测器蒙特卡罗等效模型的确定方法

摘要

本发明涉及一种涂硼中子探测器蒙特卡罗等效模型的确定方法，适用于涂硼稻草管中子探测器的蒙特卡罗模拟计算分析。该方法基于蒙特卡罗程序，使用3He或BF3中子探测器模型来等效涂硼中子探测器，同时利用中子源实测一系列慢化条件下涂硼中子探测器的探测效率，通过调整3He或BF3探测器的参数来符合不同慢化和中子能谱条件下的探测效率，从而获得特定中子能谱条件下涂硼中子探测器的蒙特卡罗等效模型和计算参数。本发明提供了一种简单可行的方法，不需要知道涂硼中子探测器详细的内部结构，不需要精细度到微米量级的蒙特卡罗模拟和后续的电场模拟计算，就可以为涂硼中子探测器确定一种等效的3He或BF3探测器蒙特卡罗模型。