[发明专利]一种半导体封装及其制备方法有效
| 申请号： | 202010864871.3 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN111952198B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 秦岭 | 申请（专利权）人： | 嘉兴启创科技咨询有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L29/06;H01L21/60;H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 浙江启明星专利代理有限公司 33492 | 代理人： | 何明生 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市经济技术开*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体封装及其制备方法，该方法包括：在第一临时衬底上形成一刻蚀停止层、第一导电层、第一钝化层、第二导电层、第二钝化层以及第一导电凸块；在第二临时衬底上设置多个半导体芯片，在半导体芯片的非有源面的每条边上均形成多个间隔设置第一凹槽；将第三临时衬底粘附至半导体芯片的非有源面，并在其有源面的焊垫上形成第二导电凸块；将半导体芯片接合至所述第二导电层上，接着形成环形凹槽以围绕相应的半导体芯片，接着形成第一模塑层并嵌入到所述环形凹槽中，接着切割以形成第一封装构件；在线路基板的上表面的每条边上均形成多个间隔设置第二凹槽，将所述第一封装构件接合至所述线路基板；在所述线路基板上形成第二模塑层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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