[发明专利]半导体结构及其形成方法、形成SOI衬底的方法在审
| 申请号： | 202010865081.7 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN112582331A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 吴政达;刘冠良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 在一些实施例中，本发明涉及一种形成半导体结构的方法。该方法包括在处理衬底内形成多个体微缺陷。增大多个体微缺陷的尺寸，以在处理衬底内形成多个体宏缺陷(BMD)。从沿着处理衬底的相对表面布置的第一凹痕区域和第二凹痕区域内去除多个BMD中的一些。绝缘层形成在处理衬底上。在绝缘层上形成包括半导体材料的器件层。第一凹痕区域和第二凹痕区域垂直地围绕处理衬底的中心区域，该中心区域具有比第一凹痕区域和第二凹痕区域均更高的多个BMD的浓度。本发明的实施例还涉及半导体结构和形成SOI衬底的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 soi 衬底 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
