[发明专利]电光晶体薄膜的制备方法、电光晶体薄膜及电光调制器在审
| 申请号： | 202010865266.8 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN111965857A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 张秀全;王金翠;刘桂银;李真宇;张涛;杨超 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03;G02B6/122;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供一种电光晶体薄膜的制备方法、电光晶体薄膜及电光调制器，其中，所述电光晶体薄膜的制备方法包括：准备绝缘体上硅结构，在绝缘体上硅结构的顶层硅上制备保护层前体；用刻蚀法对保护层前体和顶层硅进行刻蚀，形成保护层和硅波导层，其中刻蚀后在保护层和硅波导层中形成凹槽结构，凹槽结构的高度等于保护层厚度和硅波导层厚度之和；在凹槽结构内填充包覆隔离层，并对其进行平坦化，直至与保护层齐平；采用腐蚀的方式去除保护层，再沉积包覆隔离层，并对其平坦化；最后在包覆隔离层上制备功能薄膜层，得到电光晶体薄膜。采用前述的方案，通过保护层保护硅波导层，包覆隔离层厚度可控，表面平整，与功能薄膜层键合，不影响光信号的传播。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 晶体 薄膜 制备 方法 调制器 | ||
【主权项】：
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