[发明专利]一种全碳化硅双面散热模块的封装结构及其封装方法在审
| 申请号： | 202010866651.4 | 申请日： | 2020-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN114121907A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 陈材;鄢义洋;黄志召;刘新民;康勇 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/00;H01L23/367;H01L23/482 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 祝丹晴;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体模块的封装集成技术领域，公开了一种大功率全碳化硅模块的封装结构及封装方法。所述封装结构包括：底层直接覆铜陶瓷(DBC)基板、贴装在底层DBC基板上的碳化硅功率芯片(MOSFET)、驱动电阻、垫片、顶层DBC基板、连接端子。所述的封装结构主功率输入端子采用双端出线，功率引线存在电流流向相反的结构，利用互感抵消了部分功率回路上的寄生电感，并联芯片换流回路寄生电感更加均衡；上下面均可装配散热器，为功率芯片提供上下平行的两个散热路径，减小了芯片热阻；驱动回路采用Kelvin结构，减小了共源电感对驱动信号的影响，增强了驱动信号稳定性。所述的封装方法，为该封装结构提供了可靠的加工方法，使得该封装结构得以实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 双面 散热 模块 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
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