[发明专利]一种辛烯钝化的硅量子点纳米颗粒的合成方法在审

专利信息
申请号: 202010867043.5 申请日: 2020-08-26
公开(公告)号: CN112079361A 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 寿春晖;杜长庆;彭浩;金胜利;陈果;黄绵吉;贺海晏;沈曲;洪凌;李晓洁 申请(专利权)人: 浙江浙能技术研究院有限公司;上海交通大学
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021;C09K11/59;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 代理人: 张羽振
地址: 311121 浙江省杭州市余*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种辛烯钝化的硅量子点纳米颗粒的合成方法,包括:步骤1、在恒定电流条件下,在包含HF和甲醇的电解质混合物中对硅晶片进行电化学蚀刻,硅晶片可以重复使用,直到被电化学蚀刻穿透为止;步骤2、电化学蚀刻结束后,立即将硅晶片浸入脱氧纯净1‑辛烯中,在白光下进行白光诱导的氢化硅烷化反应。本发明的有益效果是:本发明的合成方法能在较低成本的条件下大量制造辛烯钝化的硅量子点纳米粒子,同时该辛烯钝化的硅量子点纳米粒子具有较高的荧光量子效率,较高的稳定性,并能在多种有机溶剂中形成透明的悬浮液(如己烷,甲苯,三氯甲烷,乙酸乙酯等);本发明使用6英寸硅晶片每批次可以生产约20mg的硅量子点纳米颗粒(SiQDNPs)固体粉末。
搜索关键词: 一种 辛烯 钝化 量子 纳米 颗粒 合成 方法
【主权项】:
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