[发明专利]掩模版及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010867429.6 申请日: 2020-08-25
公开(公告)号: CN111965937A 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 庄迪斯;秦毅 申请(专利权)人: 豪威光电子科技(上海)有限公司
主分类号: G03F1/50 分类号: G03F1/50
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 201611 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种掩模版及其制备方法,首先提供具有凹槽的底模,然后在凹槽中形成不透光层,接着在底模上形成透光过渡层并盖上透光基板,透光过渡层可作为透光基板与不透光层之间的粘合层,以利于底模离模,离模之后,形成所述掩模版。本发明中不透光层凸出于透光基板,利用所述掩模版对具有坑穴的基底进行曝光时,不透光层可伸进基底的坑穴中,从而减小与坑穴底部之间的距离,增大曝光后形成的图案的边缘的锐利度和清晰度,进而提高器件的精度和可靠性。
搜索关键词: 模版 及其 制备 方法
【主权项】:
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