[发明专利]掩模版及其制备方法在审
申请号: | 202010867429.6 | 申请日: | 2020-08-25 |
公开(公告)号: | CN111965937A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 庄迪斯;秦毅 | 申请(专利权)人: | 豪威光电子科技(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201611 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种掩模版及其制备方法,首先提供具有凹槽的底模,然后在凹槽中形成不透光层,接着在底模上形成透光过渡层并盖上透光基板,透光过渡层可作为透光基板与不透光层之间的粘合层,以利于底模离模,离模之后,形成所述掩模版。本发明中不透光层凸出于透光基板,利用所述掩模版对具有坑穴的基底进行曝光时,不透光层可伸进基底的坑穴中,从而减小与坑穴底部之间的距离,增大曝光后形成的图案的边缘的锐利度和清晰度,进而提高器件的精度和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 模版 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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