[发明专利]针对污染控制进行改进的光掩模及其形成方法在审
| 申请号： | 202010870107.7 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112445060A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 赖建宏;张浩铭;林佳仕;王宣文;许有心;石志聪;吴于勋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38;G03F1/68 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及针对污染控制进行改进的光掩模及其形成方法。本发明实施例涉及一种光掩模，其包含：衬底；多层堆叠，其安置在所述衬底上方且经配置以反射辐射；罩盖层，其在所述多层堆叠上方；及抗反射层，其在所述罩盖层上方。所述抗反射层包括第一图案，其中所述第一图案暴露所述罩盖层且配置为可印刷特征。所述光掩模还包含从俯视视角来看与所述可印刷特征隔开的吸收体。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 污染 控制 进行 改进 光掩模 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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