[发明专利]晶圆表面处理装置、晶圆表面阴阳离子取样方法在审
| 申请号： | 202010870329.9 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111983430A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 倚娜;张翔 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;张博 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆表面处理装置，用于采集晶圆表面的阴阳离子，包括用于容纳晶圆的微腔室，所述微腔室包括能够打开或关闭所述微腔室的盖板，所述微腔室的侧壁设置有用于引入溶解晶圆表面的阴阳离子的溶解液的液体入口，所述微腔室底部设置有用于引出溶解有晶圆表面的阴阳离子的溶液的液体出口，所述微腔室的侧壁上还设置有惰性气体入口和惰性气体出口，所述惰性气体入口处设置有气体流速控制结构，用于控制惰性气体流入所述微腔室内时间或流速。本发明还涉及一种晶圆表面阴阳离子取样方法。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 装置 阴阳 离子 取样 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司，未经西安奕斯伟硅片技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010870329.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
