[发明专利]一种超结VDMOS有效
| 申请号： | 202010870477.0 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111969041B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 任敏;郭乔;蓝瑶瑶;李吕强;高巍;李泽宏;张金平;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种超结VDMOS。本发明提供的一种改善EMI的超结VDMOS，在漂移区引入长度不等的第二导电类型半导体耐压柱，缓解了超结器件栅漏之间耗尽层的纵向展宽，在Vds较小时抬高Cgd电容值，使Cgd～Vds曲线更平坦。实现了对电压、电流过冲的有效缓解。因此，本发明能够在保证超结VDMOS原有基本电学性能的基础上，缓解了器件的电磁干扰问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos | ||
【主权项】：
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