[发明专利]集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构在审
| 申请号： | 202010870968.5 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112103263A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 廖龙忠;谭永亮;高渊;胡泽先;付兴中;张力江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/48;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 秦敏华 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构，该方法包括：通过在完成正面工艺的圆片上表面制备BCB层，刻蚀BCB层，露出接地孔压点和信号连接压点；在刻蚀BCB层后的圆片上表面制备电镀层；在电镀层上淀积保护层，并刻蚀掉锡球凸点位置对应的保护层区域内的保护介质；在锡球凸点位置上制备UBM层，并在UBM层上制备锡球，从而可以达到将接地孔压点和信号连接压点从芯片表面引出的目的，并制备凸点锡球，从而满足倒装焊技术使用要求，与传统GaAs芯片接地孔布局形式相比，本实施例从上表面引出接地孔的方式更加灵活、使用性更强，从而可以在高密度电子封装领域上得以应用。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 接地 信号 连接 引出 制备 方法 结构 | ||
【主权项】：
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