[发明专利]大面阵红外探测器及其芯片低应力冷头结构

摘要

本发明公开了一种大面阵红外探测器及其芯片低应力冷头结构。大面阵红外探测器芯片低应力冷头结构，包括：杜瓦冷台；陶瓷结构件，粘接于杜瓦冷台；至少一层陶瓷框架，粘接于陶瓷结构件远离杜瓦冷台的一侧；探测器混成芯片，粘接于至少一层陶瓷框架远离陶瓷结构件的一侧。采用本发明，通过优化冷头结构，使整个结构的低温应力得到释放，保证探测器芯片的低温可靠性，可以解决大面阵探测器芯片低温下热应力集中，受温度冲击容易产生损伤的问题，同时选择框架作为电学过渡结构，可以保证探测器电学信引出。