[发明专利]一种硅片高温氧化工艺

摘要

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种硅片高温氧化工艺，高温氧化在高温氧化设备上进行，所述高温氧化设备包括入料段、升温段、恒温段、冷却段、出料段，各段均用穿设在设备腔体两侧之间的转动的陶瓷轴进行传送，通过工控电脑设置各段的温度曲线，确保各段温差控制在±3℃；首先将硅片放入高温氧化设备入料段的陶瓷轴上，然后在陶瓷轴的转动下将硅片依次传送经过升温段、恒温段、冷却段、出料段，恒温段的设备腔内设有红外加热装置和氧气发生器，陶瓷轴上的硅片在此段发生氧化反应，后再经冷却段风冷后即得表面有氧化层的硅片。该工艺所得硅片氧化一致性好，工艺简单。