[发明专利]一种提升MEMS传感器环境适应性的智能自校准控制方法有效
| 申请号： | 202010871880.5 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112067032B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 申强;杨登锋;孙静;常洪龙 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学;西北工业大学太仓长三角研究院 |
| 主分类号： | G01D18/00 | 分类号： | G01D18/00 |
| 代理公司： | 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 | 代理人： | 云燕春 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提升MEMS传感器环境适应性的智能自校准控制方法，属于微机电系统领域。该方法由两级期望最大化方法组成，在第一级期望最大化方法中，基于小带宽的滤波器识别环境中具有短时间持续且强度剧烈的外部扰动，估计出相应偏差；在第二级期望最大化方法中，将缓慢变化的内部扰动与真值耦合到传感器确定的偏差上，选取大带宽的滤波器以匹配内部扰动的特性，然后分别识别和估计相应的扰动参数和真值。本发明通过一种可变期望最大化方法，基于扰动参数的不同特性改变平滑带宽，逐级进行状态估计与扰动辨识的同步迭代优化处理，抑制环境扰动对MEMS传感器产生的偏差，有效提升MEMS传感器的环境特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 mems 传感器 环境 适应性 智能 校准 控制 方法 | ||
【主权项】：
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