[发明专利]高吸收纳米结构热电堆及其制作方法在审
| 申请号： | 202010874173.1 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111964794A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 周娜;毛海央;李俊杰;高建峰;杨涛;李俊峰;王文武;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01J5/12 | 分类号： | G01J5/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高吸收纳米结构热电堆及其制作方法，热电堆包括：红外吸收层；其中红外吸收层包括若干个具有内凹结构的纳米柱。本发明采用与CMOS兼容的材料作为红外吸收层，通过对红外吸收层进行结构改进，在红外吸收层刻蚀形成具有内凹结构的纳米柱，来增强红外吸收层的限光效应，提高光吸收，从而制作出高红外吸收的热电堆器件。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收 纳米 结构 热电 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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