[发明专利]一种碳化硅晶体的籽晶及碳化硅晶体的制造方法在审
| 申请号： | 202010874435.4 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN111809238A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 潘尧波;薛卫明;马远 | 申请（专利权）人： | 中电化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/00;C30B23/00;C30B7/00;C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 夏苗苗 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种碳化硅晶体的籽晶及碳化硅晶体的制造方法，所述碳化硅晶体的籽晶碳面( |
||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 籽晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电化合物半导体有限公司，未经中电化合物半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010874435.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
