[发明专利]基板处理装置、以及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202010874983.7 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112563109A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 石丸信雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 孙明轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置，其能够减小在利用等离子体来处理基板时对反应管和基板付与的损害，并能够进行稳定的等离子体生成。提供一种如下构成的基板处理装置，其具有：供向基板供给之前的气体流通的缓冲室；在缓冲室内大致平行地延伸的至少一对放电电极；和以不使一对放电电极暴露于气体的方式分别覆盖于至少一对放电电极的绝缘体制的一对鞘管，在一对放电电极的至少一方，在与被馈电的端不同的端处设有金属制的帽，该帽具有与放电电极大致相等的外径，顶端部分圆滑地形成。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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