[发明专利]一种增大手性场的结构在审
| 申请号： | 202010875393.6 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN111965851A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种增大手性场的结构，从下到上依次设置有第二贵金属膜、介质层和第一贵金属膜；所述第二贵金属膜内设置有周期排列的第二贵金属圆盘孔，所述介质层内设置有周期排列的介质圆盘孔，所述第一贵金属膜内设置有周期排列的第一贵金属圆盘孔；各周期内的第二贵金属圆盘孔的几何中心、与所述各周期内的第二贵金属圆盘孔对应的介质圆盘孔的几何中心、与所述各周期内的第二贵金属圆盘孔对应的第一贵金属圆盘孔的几何中心的连接线为直线，所述直线垂直所述贵金属膜。本发明提供的结构在贵金属圆盘孔的周围会聚集大量的电场，使得电场和磁场在空间上分离，在中间的介质圆盘孔内，电场被增强，介质圆盘孔内产生较大的单一手性场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增大 手性 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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