[发明专利]基于双螺旋谐振器和缺陷地结构的小型化均衡器有效

专利信息
申请号: 202010875981.X 申请日: 2020-08-27
公开(公告)号: CN112002975B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 夏雷;尹子浩;吕升阳;雷宜旭;秦志飞 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01P1/22 分类号: H01P1/22;H01P5/00
代理公司: 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 代理人: 王伟
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了基于双螺旋谐振器和缺陷地结构的小型化均衡器,该均衡器采用基于双螺旋谐振器的缺陷地结构,能量吸收采用贴片电阻,其包括微带层、介质层和金属层,微带层、介质层和金属层从上到下依次层叠;微带层包括设置在微带线两端的第一端口和第二端口,介质层包括介质基板,金属层包括金属板,金属板上蚀刻有第一螺旋、第二螺旋、第三螺旋、第四螺旋、第一螺旋和第三螺旋相交处和第二螺旋和第四螺旋相交处,第一螺旋和第三螺旋相交处和第二螺旋和第四螺旋相交处组成蚀刻直槽,吸收电阻设置在蚀刻直槽的中部;该均衡器的谐振结构相比于传统的枝节谐振器,尺寸大大减少,参数灵活可调,设计简单快捷,并且可以根据需要增加单元数量。
搜索关键词: 基于 双螺旋 谐振器 缺陷 结构 小型化 均衡器
【主权项】:
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