[发明专利]相移掩模的制备方法

摘要

公开了一种相移掩模的制备方法，其包括，提供第一厚度的透明基板，蚀刻透明基板形成第一厚度的第一基板表面和第二厚度的第二基板表面，第一厚度和第二厚度之间的差值使得照射第一基板表面的第一光束和照射第二基板表面的第二光束具有预定相位差；在氮气气氛下于第一基板表面和第二基板表面上分别溅射金属硅化物形成具有第三厚度的第一半透明层，在氮气和氪气的混合气氛下于第一半透明层表面上溅射金属硅化物形成具有第四厚度的第二半透明层，金属与硅的比值处于二分之一至四分之一之间，其低于第一半透明层的氮含量且氮硅比值为4至8之间，第三厚度小于第四厚度，基于遮光层图案湿式蚀刻第一半透明层和第二半透明层形成半透明图案。