[发明专利]三维闪存存储器、控制电路、形成栅极叠层的方法在审

专利信息
申请号: 202010877035.9 申请日: 2020-08-27
公开(公告)号: CN112466891A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 吕函庭 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/11585 分类号: H01L27/11585;H01L27/1159;H01L27/11597;G11C16/24;G11C16/14
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种三维闪存存储器、控制电路、形成栅极叠层的方法,三维闪存存储器包括一栅极叠层结构,具有彼此电性绝缘的多个栅极层;一圆柱形通道柱,垂直地延伸穿过栅极叠层结构的每个栅极层,圆柱形通道柱的横截面为一圆柱体;一第一导电柱,垂直地延伸穿过栅极叠层结构,第一导电柱位于圆柱形通道柱内并电性连接至圆柱形通道柱;一第二导电柱,垂直地延伸穿过栅极叠层结构,第二导电柱位于圆柱形通道柱内并电性连接至圆柱形通道柱,第一导电柱和第二导电柱彼此分离。三维闪存存储器还包括一铁电层,设置于栅极叠层结构的此多个栅极层和圆柱形通道柱之间。
搜索关键词: 三维 闪存 存储器 控制电路 形成 栅极 方法
【主权项】:
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