[发明专利]去耦电容器和布置在审
| 申请号： | 202010877251.3 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN111816654A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | S·E·布-加扎利;R·T·埃尔赛义德;N·戈埃尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L27/07;H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张亚峰 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了晶体管组件、集成电路器件和相关方法的各种实施例。在一些实施例中，晶体管组件可以包括：基底层，晶体管设置在所述基底层中；第一金属层；以及设置在基底层与第一金属层之间的第二金属层。晶体管组件还可以包括电容器，所述电容器包括其中具有沟道的导电材料的薄片，所述电容器设置在所述基底层或所述第二金属层中并耦合到所述晶体管的所述供电线。可以公开和/或主张其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 布置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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