[发明专利]侦测光刻工艺制程异常的方法有效
| 申请号： | 202010877279.7 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112038249B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 吴承璋;周文湛 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F7/20;G06F16/51;G06F16/58;G06T7/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种侦测刻蚀工艺制程异常的方法，先建立多个FEM(Focus and Energy Matrix)条件形成的待测结构的ADI CD及截面图像与AEI CD及截面图像相互对应构成的数据库，然后利用正常光刻工艺中量测的待处理晶圆的ADI CD及截面图像和数据库中的信息预测待处理晶圆的AEI CD及截面图像，根据预测结果可以在刻蚀工艺进行之前提前预测制程是否出现异常以及发生缺陷的可能性。本发明不需要对刻蚀工艺后的AEI CD进行实时在线测量，可以大幅减少实时检测的数据量，加快制程进度，而且可以根据预测结果及时确定制程发生异常并对发生异常的制程和产品进行及早修正，从而提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 侦测 光刻 工艺 异常 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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