[发明专利]功率半导体器件和方法在审
| 申请号： | 202010877414.8 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112447617A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | E·菲尔古特;P·S·科赫;S·平德尔;H-J·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L21/31;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 功率半导体器件（1）包括：具有前侧表面（10‑1）的半导体本体（10）、以及布置在前侧表面（10‑1）上方的第一钝化层（15‑1），其中，第一钝化层（15‑1）是多晶金刚石层。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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