[发明专利]一种改善SOI器件性能的制备方法在审
| 申请号： | 202010877536.7 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112038235A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 唐霞;王昌锋;廖端泉 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善SOI器件性能的制备方法，提供包括基体硅、位于基体硅上的埋氧层，位于埋氧层上的表面硅的SOI结构，在表面硅上形成厚度为2nm的硅薄膜层，硅薄膜层与表面硅组成绝缘硅层；使SOI结构表面的绝缘硅层部分反应形成氧化硅薄膜层；在氧化硅薄膜层上形成PMOS的伪栅极结构，伪栅极至少包括栅氧层和位于栅氧层上方的多晶硅层、依附于多晶硅层侧壁的第一侧墙。本发明采用外延硅生长和炉管工艺一方面可以减小绝缘硅的消耗量，有利于锗硅生长，避免接触孔扎穿；另一方面解决了光刻过程中引起的对准偏移的问题，避免接触孔偏移，使器件能正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 soi 器件 性能 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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