[发明专利]一种在基片上直接分区生长碳纳米管薄膜的方法和应用在审
| 申请号： | 202010878678.5 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112028055A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 董长昆;黄卫军 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | C01B32/162 | 分类号： | C01B32/162;C01B32/16;H01J1/304 |
| 代理公司： | 温州名创知识产权代理有限公司 33258 | 代理人： | 陈加利 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市瓯海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种在基片上直接分区生长碳纳米管薄膜的方法和应用，包括以下步骤：(1)对含催化金属的基片进行化学或/和超声表面处理；(2)根据需要生长碳纳米管薄膜的表面形状，加工对应形状的掩模片；(3)将掩模片覆盖在所述的基片上，应用薄膜沉积工艺，在掩模片未覆盖的基片分区部分沉积无碳纳米管生长催化特性的金属或金属氧化物薄膜；基片对应掩模片覆盖部分的分区构成碳纳米管生长分区；(4)经过步骤(3)处理后的基片放在到化学气相沉积反应装置中通过直接生长法在所述基片的碳纳米管生长分区生长碳纳米管薄膜。本发明优势包括:可制备任意形状、大小的CNT薄膜，薄膜尺度可以从微米到厘米量级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基片上 直接 分区 生长 纳米 薄膜 方法 应用 | ||
【主权项】：
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