[发明专利]一种基于图模型的MOCVD腔体稳定性检测方法及系统在审
申请号: | 202010878766.5 | 申请日: | 2020-08-27 |
公开(公告)号: | CN112097830A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 罗铁成;李健;王钢;裴艳丽 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | G01D21/02 | 分类号: | G01D21/02;G06F113/08;G06F119/08;G06F119/14 |
代理公司: | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人: | 李思坪 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于图模型的MOCVD腔体稳定性检测方法及系统,该方法包括:根据MOCVD腔体内部的传感器得到MOCVD反应腔的参数;将MOCVD反应腔的参数输入预设的图模型,并基于判决条件得到稳定性状态、速度流线分布图和温度云图;将稳定性状态、速度流线分布图和温度云图展示。该系统包括:传感器模块、检测模块和展示模块。通过使用本发明,可以供详细、直观、准确的MOCVD腔体内部状况,从而指导实际生产,使得制作的薄膜产品生长速率、均匀性和质量得到提高。本发明作为一种基于图模型的MOCVD腔体稳定性检测方法及系统,可广泛应用于半导体应用领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 模型 mocvd 稳定性 检测 方法 系统 | ||
【主权项】:
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