[发明专利]高击穿的AlN AlGaN高电子迁移率晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 202010879635.9 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112133747A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;纪凯乔;张雅超;宁静;陈大正;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/45;H01L29/417;H01L29/20 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种高击穿的AlN AlGaN高电子迁移率晶体管及制备方法，该高电子迁移率晶体管包括：AlN层(2)；两部分衬底层(1)，所述两部分衬底层(1)分别位于所述AlN层(2)的下表面的两端；Al |
||
| 搜索关键词： | 击穿 aln algan 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010879635.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
