[发明专利]一种半导体铜背靶加工方法有效
| 申请号： | 202010880526.9 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112170753B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 匡健 | 申请（专利权）人： | 金嘉品（昆山）金属工业有限公司 |
| 主分类号： | B21J5/00 | 分类号： | B21J5/00;B21J5/08;B21K29/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京中仟知识产权代理事务所(普通合伙) 11825 | 代理人： | 田江飞 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体铜背靶加工方法，其包括以下步骤：(1)将圆柱体状的T2紫铜铜材加热至850℃，然后经过锻压机锻打使T2紫铜铜材的直径变大高度变低，后放置冷却至650℃，然后将T2紫铜铜材锻打成一长方体的形状；(2)在650℃条件下将长方体状的T2紫铜铜材进行墩粗；(3)将T2紫铜铜材放置冷却至350℃，在350℃条件下将墩粗后的T2紫铜铜材锻打成长方体状；(4)继续在350℃条件下继续使用锻压机对长方体状的T2紫铜铜材进行锻打，将长方体状的T2紫铜铜材锻打成圆饼形状，然后在常温条件下空冷放置。本发明的半导体铜背靶加工方法可以将T2紫铜铜材加工成半导体铜靶材，工艺简单，加工成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 铜背靶 加工 方法 | ||
【主权项】：
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