[发明专利]应用于THz调制的极窄热滞回线氧化钒薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202010883487.8 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112011775A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 吴志明;徐雯;向梓豪;白宇昕;石沅林;陈鹏宇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京卓唐知识产权代理有限公司 11541 | 代理人： | 崔金 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于THz调制的极窄热滞回线氧化钒薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)以附有金属钽片的金属钒靶为复合靶材，采用直流反应磁控溅射对基片进行溅射，制备掺钽氧化钒薄膜；(2)将掺钽氧化钒薄膜在富氧气氛下进行高温退火处理得应用于THz调制的极窄热滞回线氧化钒薄膜；本发明的有益效果为：本发明所述一种应用于THz调制的极窄热滞回线氧化钒薄膜的制备方法所得氧化钒薄膜用高纯金属钒靶以及高纯金属钽片贴片掺杂的方式制备，工艺简单；所得氧化钒薄膜具有极窄回线宽度，有效降低了氧化钒薄膜的相变温度，且通过钽元素掺杂可以较好地保持氧化钒薄膜在THz波段的调制幅度。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 thz 调制 极窄热滞回线 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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