[发明专利]一种近红外探测器的制备方法

摘要

本发明公开了一种近红外探测器的制备方法，近红外探测器的结构自下而上依次为：衬底、底电极、吸收层、缓冲层、窗口层，吸收层材料为Cu2CdxZn1‑xSnSe4，其中0≤x≤1，缓冲层材料为ZnCdyCdZn1‑ySe，其中0≤y≤1，采用真空蒸发法在吸收层上沉积ZnCdyCdZn1‑ySe形成缓冲层，用Zn，Cd，Se作为源料，对衬底和源炉升温，衬底升温至120‑350℃，源炉升温至工作温度，待温度稳定后保持15min，同时蒸镀，将衬底升温至200‑300℃保持10‑30min，结束后待衬底冷却至100℃以下后取出。本发明采用了真空法制备缓冲层，相比原溶液法制备技术，减少了制备过程中了源料消耗。