[发明专利]一种多芯片并联的高温功率模块的封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 202010883663.8 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN114121909A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 陈材;黄志召;张弛;刘新民;康勇 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/00;H01L23/367;H01L23/64 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 祝丹晴;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多芯片并联的高温功率模块的封装结构及封装方法，属于功率半导体器件领域。该封装结构及封装方法可以应用在硅功率模块以及碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体高温应用的功率模块中；封装结构包括：散热基板，一体化基板，附着于一体化基板上的功率单元、驱动电阻、热敏电阻、解耦电容、键合线、灌封胶、外壳及端子；该封装方法在封装材料上采用耐高温和高导热材料，使得整个封装结构实现高温环境下的应用。本发明的各种封装材料方案，可以使得模块在高温工作条件下保持良好的散热性能和机械性能，模块长期工作温度达到200℃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 并联 高温 功率 模块 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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