[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 202010887595.2 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN114121839A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 刘杰;张丽霞;应战 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构，包括：半导体基底，所述半导体基底具有第一面和与所述第一面相对的第二面；焊盘，所述焊盘位于所述第一面；热传递层，所述热传递层位于所述第一面，且所述热传递层与所述焊盘接触；凹槽，所述凹槽位于所述半导体基底内，且所述凹槽与所述热传递层连通。本发明实施例提供的一种半导体结构，有利于解决半导体结构散热能力差和半导体结构中焊盘局部温度过高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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