[发明专利]一种SOI横向绝缘栅双极晶体管有效
| 申请号： | 202010888909.0 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111969049B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 章文通;朱旭晗;祖健;乔明;李肇基;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SOI横向绝缘栅双极晶体管，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列；在集电极区域以相同工艺形成与集电极接触电极相连的纵向场板，并且平行插入第二导电类型阱区，形成阳极电阻结构。本发明在器件开态时，纵向浮空场板表面能够形成积累层，提高了器件的饱和电流。第二导电类型阱区引入的纵向场板，能够精确控制阳极电阻的大小，消除了snapback现象对器件输出特性的影响，提高器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 横向 绝缘 双极晶体管 | ||
【主权项】：
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