[发明专利]高压三维耗尽超结LDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010888999.3 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111969043A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 张波;朱旭晗;祖健;章文通;乔明;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压三维耗尽超结LDMOS及其制造方法，包括第二导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一和第二导电类型阱区，第一介质氧化层，第二导电类型埋层，第二介质氧化层，周期性排列的第一和第二导电类型区形成超结；所述第二导电类型埋层以及超结结构均位于第一导电类型漂移区中，其中超结位于第二导电类型埋层上方且与第二导电类型埋层相连；所述第二导电类型埋层在关态下优化器件表面电场，第二导电类型埋层和超结第二导电类型区三面包围超结第一导电类型区，形成三维耗尽超结结构Fin‑SJ结构，允许第一导电类型漂移区和超结第一导电类型区掺杂浓度提高，并且超结结构提供了表面低阻通路，降低器件比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 三维 耗尽 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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