[发明专利]一种静电放电晶体管在审
申请号: | 202010889460.X | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN111916446A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 江叔勤 | 申请(专利权)人: | 深圳市东光晶鹏电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/00 |
代理公司: | 深圳市成为知识产权代理事务所(普通合伙) 44704 | 代理人: | 王艳 |
地址: | 518000 广东省深圳市罗湖*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种静电放电晶体管,包括本体,所述本体的底部设置有插脚,所述本体包含有防护层和芯层,所述芯层位于防护层的外表面,所述防护层包含有第一防腐蚀层、第二防腐蚀层、抗老化层和绝缘层,所述第一防腐蚀层位于第二防腐蚀层的外表面,所述第二防腐蚀层位于抗老化层的外表面。本发明第一防腐蚀层具有良好的力学性能、耐热性、耐磨损性、耐化学药品性和自润滑性,增加本体的使用寿命,第二防腐蚀层化学性质稳定,可在第一防腐蚀层损坏时继续防护,进一步增加本体的使用寿命,绝缘层可防止漏电,抗老化层可防止绝缘层老化受损,解决了现有的静电放电晶体管耐腐蚀效果不好,导致其受用寿命较短的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 静电 放电 晶体管 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的