[发明专利]一种抗辐照的共岛LPNP和SPNP版图结构

摘要

一种抗辐照的共岛LPNP和SPNP版图结构，包括LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、SPNP的发射极、基区复合墙、衬底、外延层沟道电阻和埋层；衬底的表面覆盖有外延层，外延层和衬底之间设置有埋层；外延层上排布有LPNP的基极、LPNP的集电极、LPNP的发射极、基区复合墙和SPNP的发射极；基区复合墙将共岛的LPNP和SPNP分隔形成LPNP隔离岛和SPNP隔离岛，LPNP隔离岛和SPNP隔离岛之间通过外延层连通，形成外延层沟道电阻；LPNP的基极B通过外延层连接外延沟道电阻的一端，外延沟道电阻的另一端连接SPNP的基极。有效提高SPNP的电流放大倍数，提升抗辐照性能，并节约版图面积。该版图结构可推广应用于任一款低压抗辐照双极电路版图设计，有效降低芯片版图面积并提升抗辐照性能。