[发明专利]一种阵列异质结的自组装生长方法有效
申请号: | 202010891855.3 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN111816718B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 易庆华;丛姗;刘玉申 | 申请(专利权)人: | 常熟理工学院 |
主分类号: | H01L31/0264 | 分类号: | H01L31/0264;H01L31/0336;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 李嘉宁 |
地址: | 215500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列异质结的自组装生长方法,包括如下步骤:配置PSS溶液;将阵列基底置于PSS溶液中浸泡,形成PSS修饰的阵列基底,显负电性;配置聚乙烯亚胺辅助的金属离子前驱体溶液,形成带正电的离子团;将前驱体溶液滴加到PSS修饰的阵列基底上,正负基团的吸附作用将前驱体溶液吸附在阵列表面;热处理即可形成稳定牢固的异质结阵列。本发明首次公开了一种通过PSS修饰显负电性和PEI辅助形成的离子基团显正电性的金属离子前驱体溶液之间的正负吸引作用,将金属离子前驱体溶液与阵列表面相连热处理后形成稳定的异质结的自组装的生长方法,该方法形成的异质结表面均匀,可控性强,为异质结的生长提供了可选择的通用方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 异质结 组装 生长 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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