[发明专利]一种基于活性层界面优化的钙钛矿光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 202010891858.7 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN111883669A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 于军胜;黄钰;杨根杰;赵世雄 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/44;H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 谢建 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于活性层界面优化的钙钛矿光电探测器及其制备方法,属于钙钛矿光伏器件或钙钛矿光电探测器领域,包括钙钛矿光活性层,通过在反溶剂中掺入质量体积为0.01‑0.5mg/mL的聚合物PFN,并通过一步旋涂法制备钙钛矿光活性层。本发明通过在反溶剂中掺杂聚合物PFN,钝化钙钛矿晶界中的缺陷,提升载流子传输能力,进而提升器件光探测性能;同时在钙钛矿光活性层和电子传输层之间会形成一层超薄PFN修饰层,改善钙钛矿光活性层与电子传输层之间的接触,有利于载流子在界面间的传输。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 活性 界面 优化 钙钛矿 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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