[发明专利]具有铁电介质的二维材料双栅存算一体器件及制备方法在审
| 申请号： | 202010891911.3 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112038406A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;黄凯亮;赵妙;翟明龙;孙兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L29/51;H01L21/34;H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40;H01L27/1159 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有铁电背栅的二维材料双栅场效应器件，包括：绝缘衬底(100)，背部栅电极(200)，形成于绝缘衬底(100)上，铁电介质层(300)，形成于背部栅电极(200)上，以及，绝缘衬底(100)未被背部栅电极(200)覆盖的表面上，二维材料沟道(400)，形成于铁电介质层(300)上，漏电极(501)和源电极(502)，形成于铁电介质层(300)上，并且位于二维材料沟道(400)的两侧，顶部常规栅介质层(600)，形成于二维材料沟道(400)以及漏电极(501)、源电极(502)的表面上，顶部栅电极(700)，形成于顶部常规栅介质层(600)上。该器件结构可以实现将存储和计算集成在一个晶体管，具有功耗低、占用面积小，可推广性强的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电介质 二维 材料 双栅存算 一体 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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