[发明专利]一种紫外GaN光源及其制备方法有效
| 申请号： | 202010892026.7 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111816736B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 仇志军;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/44;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种紫外GaN光源及其制备方法，属于固体发光器件技术领域，所述制备方法包括：在硅衬底上等间距刻蚀多个圆孔图形，各圆孔图形的深度相同、直径不同；在硅衬底上表面均匀沉积AlN缓冲层；在AlN缓冲层上除去圆孔图形底部的位置，均匀沉积SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 紫外 gan 光源 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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