[发明专利]一种VCSEL芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202010892157.5 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111817129A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 仇伯仓;李春勇;舒凯;徐化勇;冯欧 | 申请（专利权）人： | 江西铭德半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种VCSEL芯片及其制造方法，该VCSEL芯片包括芯片主体，所述芯片主体包括从下到上依次层叠的n型DBR层、有源区以及p型DBR层，所述p型DBR层和所述有源区之间设有氧化圈，所述p型DBR层的顶部设有上电极，所述上电极的顶部设有光学吸收层，所述光学吸收层采用In(x)GaAs材料，x表示In的摩尔组份含量，所述光学吸收层的带隙小于所述VCSEL芯片工作波长所对应的光子能量。本发明能够解决高功率工作时光束质量变差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vcsel 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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