[发明专利]一种限制增强型GaN基深紫外激光器在审

专利信息
申请号: 202010892692.0 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN111817137A 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 赵德刚;梁锋;王泓江 申请(专利权)人: 北京蓝海创芯智能科技有限公司
主分类号: H01S5/20 分类号: H01S5/20
代理公司: 南京智造力知识产权代理有限公司 32382 代理人: 汪芬
地址: 100093*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种限制增强型GaN基深紫外激光器,自下往上依次是N型电极、衬底、N型下限制层、N型AlxGa1‑xN下波导层、有源区、P型AlxGa1‑xN上波导层、P型电子阻挡层、P型上限制层、P型GaN欧姆接触层和P型电极;所述N型AlxGa1‑xN下波导层和P型AlxGa1‑xN上波导层均为Al组分渐变型,利用N型AlxGa1‑xN下波导层和P型AlxGa1‑xN上波导层中的Al组分渐变设计引导光场靠近有源区,降低光学损耗,增强量子阱对载流子的限制,抑制电子泄露,改善阈值和输出功率。
搜索关键词: 一种 限制 增强 gan 深紫 激光器
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京蓝海创芯智能科技有限公司,未经北京蓝海创芯智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010892692.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top